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Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管

发布时间:2024-07-10阅读:957

 美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年6月28日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出16款新型第三代1200 V碳化硅(SiC)肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基(MPS)结构设计,具有高浪涌电流保护能力,低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低,有助于提升开关电源设计能效和可靠性。
日前发布的新一代SiC二极管包括5 A至40 A器件,采用TO-220AC 2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封装和D2PAK 2L(TO-263AB 2L)表面贴装封装。由于采用MPS结构——利用激光退火背面减薄技术——二极管电容电荷低至28 nC,正向压降减小为1.35 V。此外,器件25 C下典型反向漏电流仅为2.5 μA,因此降低了导通损耗,确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同,第三代器件几乎没有恢复拖尾,从而能够进一步提升效率。
碳化硅二极管典型应用包括FBPS和LLC转换器AC/DC功率因数校正(PFC)和 DC/DC超高频输出整流,适用于光伏逆变器、储能系统、工业驱动器和工具、数据中心等。这些严苛的应用环境中,器件工作温度可达+175°C,正向额定浪涌电流保护能力高达260 A。此外,D2PAK 2L封装二极管采用高CTI 600的塑封料,确保电压升高时优异的绝缘性能。

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